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化学机械抛光液—— 一站式解决方案 化学机械抛光是集成电路芯片制造历程中实现晶圆全局匀称平展化的关jian工艺，化学机械抛光液是化学机械抛光工艺历程中使用的主要化学质料。凭证抛光工具差异，公司化学机械抛光液包罗铜及铜阻挡层抛光液、介电质料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液和用于新质料新工艺的抛光液等产物。现在公司铜及铜阻挡层系列化学机械抛光液，可以知足海内芯片制造商的需求，并已在外洋市chang实现突破；其他系列化学机械抛光液已供应海内外多家芯片制造商，详细生产规模会凭证客户需求量举行调治。
铜及铜阻挡层化学机械抛光液
钨化学机械抛光液
介电质料化学机械抛光液
基于二氧化铈磨料的抛光液
衬底化学机械抛光液
用于新质料新工艺的化学机械抛光液
化学机械抛光液—— 一站式解决方案 化学机械抛光是集成电路芯片制造历程中实现晶圆全局匀称平展化的关jian工艺，化学机械抛光液是化学机械抛光工艺历程中使用的主要化学质料。凭证抛光工具差异，公司化学机械抛光液包罗铜及铜阻挡层抛光液、介电质料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液和用于新质料新工艺的抛光液等产物。现在公司铜及铜阻挡层系列化学机械抛光液，可以知足海内芯片制造商的需求，并已在外洋市chang实现突破；其他系列化学机械抛光液已供应海内外多家芯片制造商，详细生产规模会凭证客户需求量举行调治。
用于集成电路制造工艺中铜互连的平展化，产物已在逻辑芯片、存储芯片等制程上量产使用。一连研发并验证用于下一代手艺节点用的产物。
用于集成电路制造工艺中金属钨的去除清静坦化。现在钨抛光液在存储芯片和逻辑芯片领域的应用规模和市chang份额一连稳健上升，公司紧跟行业领先客户的先进制程，提前举行手艺平台的结构及手艺能力的积累, 多款钨抛光液
用于集成电路制造工艺中介电质料二氧化硅的去除清静坦化。公司一连开发刷新氧化物抛光液，能够知足差异工艺节点客户的要求。
用于集成电路制造工艺中浅槽隔离和其他需要高速去除二氧化硅的抛光工艺中。基于二氧化铈磨料的抛光液具有高速去除二氧化硅，高选择比，高平展化效率等优点，而且可以凭证客户需要开发多种新产物并顺遂实现量产。
用于硅衬底质料的抛光，包罗硅粗抛液、硅精抛液等产物系列。yl23455永利紧跟海内大硅片企业的生长和打造质料自主可控能力的趋势，充实相识客户的需求后定制化开发抛光液产物，公司研发的新型硅抛光液在客户端顺遂上线。
依托化学机械抛光液手艺及产物平台，细密配合客户制程需求，研制开发用于新手艺、新工艺的化学机械抛光液。包罗用于先进封装手艺中的TSV通孔抛光液和混淆jian合抛光液，以及适用于聚合物和碳等新质料的抛光液。多个
功效性湿电子化学品——先进手艺向导者 功效性湿电子化学品是指通过配方手艺到达特殊功效、知足制造中特殊工艺需求的配方类湿电子化学品。现在，公司功效性湿电子化学品主要包罗刻蚀后洗濯液、光刻胶剥离液、抛光后洗濯液和刻蚀液系列产物。刻蚀后洗濯液、光刻胶剥离液、抛光后洗濯液已经普遍应用于8英寸、12英寸晶圆的集成电路制造领域。
刻蚀后洗濯液
1.铝制程刻蚀后洗濯液
2.铜大马士革工艺刻蚀后洗濯液
3.硬掩模铜大马士革工艺刻蚀后洗濯液
光刻胶剥离液
抛光洗濯液
1.铜化学机械抛光后的洗濯
2.钨化学机械抛光后的洗濯
3.铝化学机械抛光后的洗濯液
4.氮化硅化学机械抛光后的洗濯
5.用于新质料化学机械抛光后的洗濯
6.抛光垫洗濯液
刻蚀液
电镀液
功效性湿电子化学品——先进手艺向导者 功效性湿电子化学品是指通过配方手艺到达特殊功效、知足制造中特殊工艺需求的配方类湿电子化学品。现在，公司功效性湿电子化学品主要包罗刻蚀后洗濯液、光刻胶剥离液、抛光后洗濯液和刻蚀液系列产物。刻蚀后洗濯液、光刻胶剥离液、抛光后洗濯液已经普遍应用于8英寸、12英寸晶圆的集成电路制造领域。
凭jie羟胺供应商供应清静解决方案，提供半水性铝制程刻蚀后洗濯液及胺基铝制程刻蚀后洗濯液。
产物应用于集成电路铝制程工艺金属线、通孔及金属焊盘（pad）蚀刻残留物去除，提供优异的蚀刻残留物去除能力、低成本。产物已在8英寸及12英寸逻辑芯片、存储芯片等领域量产。
应用于集成电路铜互连大马士革工艺蚀刻残留物去除。产物具有优异的蚀刻残留物去除能力、低缺陷、低成本。
应用于集成电路硬掩模铜互连大马士革工艺蚀刻残留物去除。产物提供高氮化钛硬掩模去除能力、优异的蚀刻残留物去除能力、低缺陷、低成本。产物已经在28nm逻辑芯片量产，并在28nm及以下手艺节点一连验证。
应用于晶圆级封装、MEMS等逾越摩尔领域厚膜光刻胶去除。产物具有>100微米光刻胶去除能力、低成本。产物在8英寸及12英寸晶圆级封装（金凸点、焊锡凸点、柱状凸点）、MEMS、TSV等工艺量产。
有用去除铜抛光后外貌颗粒和化学物残留，防止铜外貌侵蚀，降低抛光后晶圆外貌缺陷。产物可适用于130-28nm的铜制程抛光后洗濯。
有用去除钨抛光后外貌颗粒和化学物残留，防止钨外貌侵蚀，降低抛光后晶圆外貌缺陷。
有用去除铝抛光后外貌颗粒和化学物残留，防止铝外貌侵蚀，降低抛光后晶圆外貌缺陷。
有用去除氮化硅抛光后外貌颗：突锊辛，降低抛光后晶圆外貌缺陷。
用于新质料抛光后的洗濯，降低抛光后晶圆外貌缺陷。
有用去除抛光垫上的抛光副产物，延伸抛光垫的使用寿命，降低抛光后晶圆外貌缺陷。
基于液体及固体外貌处置赏罚手艺平台，配合客户工艺需求，提供特殊工艺刻蚀液，包罗高选择比磷酸等。
基于自主研发及相助，提供集成电路大马士革工艺及先进封装领域的电镀液及添加剂产物系列。